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一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數(shù)目？

這個要根據(jù)你的die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。

目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。

國際上Fab廠通用的計算公式：

再將公式化簡的話就會變成：

X就是所謂的晶圓可切割晶片數(shù)(dpw die per wafer)。

科普：wafer、 die 的區(qū)別

我們先從一片完整的（Wafer）說起：

Wafer ，由純硅（Si）構(gòu)成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個wafer上生產(chǎn)出來的。

Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學(xué)名die，封裝后就成為一個顆粒。一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經(jīng)過切割，然后測試，將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand 。那么，在wafer上剩余的，要不就是不穩(wěn)定，要不就是部分損壞所以不足容量，要不就是完全損壞。原廠考慮到質(zhì)量保證，會將這種die宣布死亡，嚴(yán)格定義為廢品全部報廢處理。

品質(zhì)合格的die切割下去后，原來的就成了下圖的樣子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。

這些殘余的die，其實是品質(zhì)不合格的。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當(dāng)做廢品處理掉。



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